FLASH del micron di M29DW323 M29DW323DT70N6 NÉ componenti elettronici di IC TSOP48 dei circuiti integrati di memoria
FLASH del micron M29DW323 di M29DW323DT70N6E NÉ componenti elettronici di IC TSOP48 dei circuiti integrati di memoria
- Memoria flash del rifornimento 3V di M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 o 2Mb x16, 8:24 doppio della Banca, blocchetto di stivale)
Il M29DW323D è una memoria non volatile di 32 Mbit (4Mb x8 o 2Mb x16) che può essere letta, cancellata e riprogrammata. Queste operazioni possono essere realizzate facendo uso di singolo rifornimento di bassa tensione (2,7 a 3.6V). Su ciclo iniziale i difetti di memoria al suo modo di lettura. Il dispositivo caratterizza un'architettura asimmetrica del blocco. Il M29DW323D ha una matrice di 8 63 e di parametro blocchetti principali ed è diviso in due banche, A e B, fornenti le operazioni doppie della Banca. Mentre programmano o cancellando nella Banca A, le operazioni di lettura sono possibili nella Banca B e vice versa. Soltanto una banca per volta è permessa essere nel programma o cancella il modo.
M29DW323D ha i 32 extra KWord (il modo x16) o un blocchetto da 64 kbyte (modo x8), il blocco esteso, quello può essere raggiunto facendo uso di un comando dedicato. Il blocco esteso può essere protetto ed in modo da è utile per memorizzare le informazioni di sicurezza.
Tuttavia la protezione è irreversibile, una volta ha protetto la protezione non può essere disfatta
. Ogni blocco può essere cancellato indipendente in modo da è possibile conservare i dati validi mentre i vecchi dati sono cancellati.
I blocchi possono essere protetti per impedire il programma accidentale o per cancellare i comandi dalla modificazione della memoria.
Il programma e cancellare i comandi è scritto all'interfaccia di comando della memoria.
Un programma del su chip/cancella il regolatore semplifica il processo di programmazione o di cancellazione della memoria prendendo la cura di tutte operazioni speciali che sono richieste per aggiornare i contenuti di memoria.
La conclusione di un programma o cancellare l'operazione può essere individuata e tutte le condizioni di errore hanno identificato.
L'insieme di comando richiesto per controllare la memoria è coerente con le norme di JEDEC.
Chip Enable, uscita permette a e scrive permette al controllo di segnali l'operazione del bus della memoria.
Permettono il collegamento semplice alla maggior parte dei microprocessori, spesso senza logica supplementare.
La memoria è offerta in (passo di 0.8mm, di 6x8mm) pacchetti TSOP48 (12x20mm) e TFBGA48.
RIASSUNTO DELLE CARATTERISTICHE:
TENSIONE DI RIFORNIMENTO
– VCC = 2.7V a 3.6V per il programma, cancella e colto
– VPP =12V per il programma veloce (facoltativo)
IL ACCEDE AL TEMPO: 70ns
TEMPO DI PROGRAMMAZIONE DEL
– 10µs per byte/parola tipici
– Programma quadruplo di byte di doppia parola
BLOCCHETTI DI MEMORIA DEL
– Matrice doppia di memoria della Banca: 8Mbit+24Mbit
– Il parametro blocca (posizione alta o bassa)
IL SI RADDOPPIA LE OPERAZIONI
– Legga in un programma di attimo della banca o cancelli in altro
Il CANCELLA PER SOSPENDERE e RIPRENDERE I MODI
– Colto e programma un altro blocco durante per cancellare per sospendere
IL SBLOCCA IL COMANDO DI PROGRAMMA DI ESCLUSIONE
– Programmazione più veloce in lotti/di produzione
PIN del VPP/WP per il PROGRAMMA VELOCE e PROTEGGERE DA SCRITTURA
MODO TEMPORANEO DEL BLOCCHETTO UNPROTECTION DEL
IL FLASH COMUNE del COLLEGA il codice di sicurezza pungente 64
BLOCCHETTO DI MEMORIA ESTESA DEL
– Blocco extra utilizzato come blocco di sicurezza o memorizzare ulteriore informazione
Appoggio dell'ASSORBIMENTO DI CORRENTE di POTERE BASSO del ed appoggio automatico
CICLI del 100.000 PROGRAM/ERASE per BLOCCO
FIRMA ELETTRONICA DEL
– Produttore Code: 0020h
– Codice di dispositivo superiore M29DW323DT: 225Eh
– Codice di dispositivo inferiore M29DW323DB: 225Fh
Specificazione di PARALLELO 48TSOP-M29DW323DT70N6E dell'ISTANTANEO 32MBIT di IC:
Catetory | Componenti elettronici |
Sottocategoria
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Circuiti integrati (CI)
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Serie
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Memoria
|
Mfr
|
Micron Technology Inc.
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Pacchetto
|
Vassoio
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Stato della parte
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Obsoleto
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Tipo di memoria
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Non volatile
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Formato di memoria
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FLASH
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Tecnologia
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FLASH - NÉ
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Capacità di memoria
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32Mb (4M x 8, 2M x 16)
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Interfaccia di memoria
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Parallelo
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Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina
|
70ns
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Tempo di Access
|
70 NS
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Tensione - rifornimento
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2.7V ~ 3.6V
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Temperatura di funzionamento
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-40°C ~ 85°C (TUM)
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Montaggio del tipo
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Supporto di superficie
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Pacchetto/caso
|
48-TFSOP (0,724", larghezza di 18.40mm)
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Pacchetto del dispositivo del fornitore
|
48-TSOP
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Numero del prodotto di base
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M29DW323
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Numeri del prodotto relativo:
Parte di Mfr # | Tecnologia | Capacità di memoria | Pacchetto del dispositivo |
M29DW323DB70N6F TR | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70N6F TR | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB5AN6F TR | FLASH - NÉ | 256Mb (16M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N3E | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70ZE6E | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB70ZE6F TR | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB7AN6F TR | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70ZE6F TR | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70ZE6E | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70N6E | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6 | FLASH - NÉ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
Informazioni di ordinazione:
Circa tecnologia del micron
Il micron fa le soluzioni innovarici di stoccaggio e di memoria che stanno contribuendo a determinare odierno la maggior parte delle innovazioni significative e disgregative della tecnologia, quale intelligenza artificiale, Internet delle cose, auto-moventi le automobili, esplorazione spaziale medicina-uguale personale. Dall'esplorazione dadel più veloce e da più modi efficaci di raccogliere, memorizzare e dirigere i dati, stanno contribuendo a rivoluzionare e migliorare il modo che il mondo comunica, che impara e che avanza.
Categorie di prodotto di tecnologia del micron:
Circuiti integrati (CI)
Schede di memoria, moduli
Optoelettronica
Immagine per riferimento:
Classificazioni dell'esportazione & ambientali
ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
---|---|
Stato di RoHS | ROHS3 compiacente |
Livello di sensibilità di umidità (MSL) | 3 (168 ore) |
Stato di PORTATA | RAGGIUNGA inalterato |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |
Numero del pezzo di IC dei circuiti integrati sostitutivi:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Vendiamo la più vasta cartella dell'industria delle tecnologie di stoccaggio e di memoria: DRAM, NAND e NÉ memoria CI. Con le associazioni dell'industria e la competenza vicine delle soluzioni di memoria, la nostra comprensione unica ci dà la capacità di rispondere ai vostri bisogni più provocatori.
Parallelo relativo NÉ catalogo dei pezzi di ricambio istantaneo del circuito integrato:
MT28EW128ABA1HJS-0SIT |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT |
MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
MT28EW128ABA1LPN-0SIT |