1N5822 SS34 Diodo raddrizzatore a barriera Schottky a montaggio superficiale 3.0A 40V
SS34 Raddrizzatore a barriera Schottky a montaggio superficiale
,1N5822 Raddrizzatore a barriera Schottky a montaggio superficiale
,Diodo raddrizzatore a barriera 3.0 A 40 V
1N5822 SS34 Raddrizzatore a barriera Schottky 3.0A 40V adatto per l'uso come raddrizzatori in inverter ad alta frequenza a bassa tensione
Il raddrizzatore Schottky utilizza il principio della barriera Schottky in un diodo di potenza metallo-silicio di ampia area.
La geometria all'avanguardia del raddrizzatore Schottky presenta una barriera metallica cromata, costruzione epitassiale con passivazione dell'ossido
e contatto di sovrapposizione del metallo.
È ideale per l'uso come raddrizzatori in inverter a bassa tensione e alta frequenza, diodi di rotazione libera e diodi di protezione della polarità.
Caratteristiche
• vF estremamente basso
• Bassa perdita di potenza/alta efficienza
• Carica immagazzinata bassa, meccanico di conduzione della maggior parte del vettore
Caratteristiche:
• Cassa: epossidica, modellata •
Peso: 1,1 grammo (circa)
• Finitura: tutte le superfici esterne resistenti alla corrosione ei terminali sono facilmente saldabili
• Temperatura del piombo per scopi di saldatura: 260 °C max.per 10 secondi
• Spedito in sacchetti di plastica, 5.000 per sacchetto
• Disponibile nastro e bobina,
1500 per bobina, aggiungendo un suffisso "RL" al codice
• Polarità: catodo indicato dalla banda di polarità
Specifica:
Categoria
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Prodotti a semiconduttori discreti
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Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Serie
|
-
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Pacchetto
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Nastro e scatola
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Stato della parte
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Attivo
|
Tipo di diodo
|
Schottky
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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)
|
40 V
|
Corrente - Media Rettificata (Io)
|
3A
|
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ Se
|
525 mV @ 3 A
|
Velocità
|
Recupero rapido =< 500 ns, > 200 mA (Io)
|
Corrente - Dispersione inversa @ Vr
|
2mA @ 40V
|
Capacità @ Vr, F
|
-
|
Tipo di montaggio
|
Attraverso il foro
|
Pacchetto/scatola
|
DO-201AD, assiale
|
Pacchetto di dispositivi del fornitore
|
DO-201AD
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Temperatura di esercizio - Giunzione
|
150°C (massimo)
|
Numero prodotto base
|
1N5822
|
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CARATTERISTICHE
* Chip passivato in vetro
* Antistrappo integrato
* Bassa induttanza
* Dissipazione di potenza inversa di picco elevato
* Bassa perdita inversa
* Classificazione ESD di Classe 3 (> 20 kV) per modello di corpo umano
Angel-Tech fornisce diodi di commutazione, diodi zener, raddrizzatori a barriera Schottky, raddrizzatori a ponte, TVS, dispositivi di protezione ESD, transistor bipolari, MOSFET, tiristori, ecc, tutti conformi agli standard RoHS e REACH.La nostra fabbrica certificata ha più di 500 dipendenti in grado di produrre componenti semiconduttori costantemente affidabili 1,5 miliardi all'anno. La nostra azienda con le apparecchiature più avanzate e la gestione dei sistemi ERP si impegna a stabilire una buona immagine del mercato. La fabbrica ha superato la certificazione di qualità ISO9001, la gestione ambientale ISO14001 certificazione di sistema.Tutti i prodotti hanno superato il test SGS, i criteri ROHS e REACH 1907/2010/EC 48.Con il miglioramento continuo della qualità del prodotto e il supporto tecnico post-vendita professionale, abbiamo conquistato la fiducia dei clienti nel marchio dell'azienda.I nostri prodotti sono ampiamente utilizzati in PC POWER, illuminazione verde, set-top box, prodotti digitali, automotive, controllo industriale, apparecchiature di comunicazione e altri campi, che serve clienti di noti produttori nazionali ed esteri."Cercare novità, raffinatezza e novità" è considerata la nostra politica ambientale per la qualità.Abbiamo buona fede e credibilità nei nostri prodotti.Dopo anni di sviluppo, i nostri prodotti sono stati riconosciuti ed elogiati dal mercato.Continueremo l'innovazione tecnologica per creare valore per i clienti.In futuro, la nostra azienda si dedicherà allo sviluppo del settore dello sviluppo del mercato dell'elettronica dei semiconduttori, in risposta alle sfide più rapide dell'industria elettronica globale.