IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Mosfet di potenza IRFB7440PBF 40V 120A
Mosfet di potenza HEXFET 100V 130A FET
,IRFB4310PBF
,IRFB7440PBF
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistori TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Transistori Canale N 180 A 200 W Foro passante TO-220AB HEXFET FET MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Descrizione:
Questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza all'accensione estremamente bassa per area di silicio.
Ulteriori caratteristiche di questo prodotto sono una temperatura di esercizio della giunzione di 175°C, un'elevata velocità di commutazione e una migliore valutazione delle valanghe ripetitive.Queste caratteristiche si combinano per rendere questo progetto un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Foro passante TO-220AB Specifica:
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Categoria
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Prodotti a semiconduttori discreti
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Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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il sig
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Tecnologie Infineon
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Serie
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HEXFET®
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Pacchetto
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Tubo
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Tipo FET
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Canale N
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Tecnologia
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MOSFET (ossido di metallo)
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Scarico alla tensione di origine (Vdss)
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40 V
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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
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180A (Tc)
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Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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3,7 mOhm @ 75 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs
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150 nC @ 10 V
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Vg (massimo)
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±20V
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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4340 pF @ 25 V
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Caratteristica FET
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-
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Dissipazione di potenza (massima)
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200 W (Tc)
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temperatura di esercizio
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo di montaggio
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Attraverso il foro
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Pacchetto di dispositivi del fornitore
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TO-220AB
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Pacchetto/scatola
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TO-220-3
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Numero prodotto base
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IRF1404
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| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
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| Stato RoHS | Conforme a ROHS3 |
| Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Stato REACH | REACH inalterato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |