IRF1404ZPBF Transistor a canale N 180A 200W MOSFET FET HEXFET
IRF1404ZPBF Transistor a canale N
,MOSFET HEXFET FET da 180 A 200 W
,Transistor a canale N 180 A 200 W
IRF1404ZPBF Transistori Canale N 180 A 200 W Foro passante TO-220AB HEXFET FET MOSFET
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Foro passante TO-220AB Specifica:
Categoria
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Prodotti a semiconduttori discreti
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Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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il sig
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Tecnologie Infineon
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Serie
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HEXFET®
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Pacchetto
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Tubo
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Tipo FET
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Canale N
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Tecnologia
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MOSFET (ossido di metallo)
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Scarico alla tensione di origine (Vdss)
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40 V
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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
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180A (Tc)
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Tensione di azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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3,7 mOhm @ 75 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs
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150 nC @ 10 V
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Vg (massimo)
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±20V
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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4340 pF @ 25 V
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Caratteristica FET
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-
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Dissipazione di potenza (massima)
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200 W (Tc)
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temperatura di esercizio
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo di montaggio
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Attraverso il foro
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Pacchetto di dispositivi del fornitore
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TO-220AB
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Pacchetto/scatola
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TO-220-3
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Numero prodotto base
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IRF1404
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Descrizione
Questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza all'accensione estremamente bassa per area di silicio.
Ulteriori caratteristiche di questo prodotto sono una temperatura di esercizio della giunzione di 175°C, un'elevata velocità di commutazione e una migliore valutazione delle valanghe ripetitive.Queste caratteristiche si combinano per rendere questo progetto un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
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Stato RoHS | Conforme a ROHS3 |
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
Stato REACH | REACH inalterato |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
Numero di parte | IRF1404ZPBF |
Numero parte base | IRF1404 |
RoHS dell'UE | Conforme all'esenzione |
ECCN (Stati Uniti) | EAR99 |
Stato della parte | Attivo |
HTS | 8541.29.00.95 |