FETs dei transistor del MOSFET 49V 80A di N-Manica di BTS282Z E3230 TO220-7
FETs dei transistor di 49V 80A
,FETs dei transistor del MOSFET di N-Manica
FETs dei transistor del MOSFET 49V 80A di N-Manica di BTS282Z E3230 TO220-7
MOSFET di potere BTS282ZE3230AKSA2 da Infineon Technologies. La sua dissipazione di potere massima è 300000 Mw.
Per assicurare le parti non sono danneggiati dall'imballaggio alla rinfusa, questo prodotto viene in tubo che imballa per aggiungere un poco più
protezione immagazzinando le parti sciolte in un tubo esterno.
Questo transistor del MOSFET ha una gamma di temperatura di funzionamento di °C -40 - 175 °C.
Questo transistor del MOSFET del canale di N funziona nel modo di potenziamento.
Specificazione:
Categoria
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Prodotti a semiconduttori discreti
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Transistor - FETs, MOSFETs - singoli
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Mfr
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Infineon Technologies
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Serie
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TEMPFET®
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Pacchetto
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Metropolitana
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Stato della parte
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Obsoleto
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Tipo del FET
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N-Manica
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Tecnologia
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MOSFET (ossido di metallo)
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Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
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49 V
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Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
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80A (TC)
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Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
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6.5mOhm @ 36A, 10V
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Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
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2V @ 240µA
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Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs
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232 nC @ 10 V
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Vgs (massimo)
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±20V
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Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
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4800 PF @ 25 V
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Caratteristica del FET
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Temperatura che percepisce diodo
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Dissipazione di potere (massima)
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300W (TC)
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Temperatura di funzionamento
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Montaggio del tipo
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Attraverso il foro
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Pacchetto del dispositivo del fornitore
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P-TO220-7-230
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Pacchetto/caso
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TO-220-7
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ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
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Stato di RoHS | ROHS3 compiacente |
Livello di sensibilità di umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
Stato di PORTATA | RAGGIUNGA inalterato |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
Numero del pezzo | BTS282Z E3230 |
Numero del pezzo basso | BTS282Z |
UE RoHS | Soddisfacente rispetto all'esenzione |
ECCN (US) | EAR99 |
Stato della parte | Attivo |
NTA | 8541.29.00.95 |