Circuiti integrati dell'ISTANTANEO 48VQFN di IC MCU 32BIT 256KB del microchip di ATSAMD51G18A-MU
ATSAMD51G18A-MU Microchip IC
,48VQFN Circuiti integrati
,MCU IC 32BIT 256KB FLASH
Circuiti integrati dell'ISTANTANEO 48VQFN di IC MCU 32BIT 256KB del microchip di ATSAMD51G18A-MU
Microcontroller del BRACCIO - FLASH 4 di MCU 120MHZ 256KB 8 QFN
FLASH 48QFN DI IC MCU 32BIT 256KB
Il Unico centro 120MHz 256KB (256K x 8) 48-QFN ISTANTANEO (7x7) di 32 bit di IC del microcontroller di serie di ARM® Cortex®-M4F
Specificazione di ATSAMD51G18A-MU:
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Categoria
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Circuiti integrati (CI)
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Incastonato - microcontroller
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Mfr
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Tecnologia del microchip
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Serie
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SAM D51
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Pacchetto
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Vassoio
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Stato del prodotto
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Attivo
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Unità di elaborazione del centro
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ARM® Cortex®-M4F
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Capacità di memoria
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il Unico centro di 32 bit
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Velocità
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120MHz
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Connettività
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EBI/EMI, ² C, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB di I
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Unità periferiche
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Brown-fuori individua/risistemazione, DMA, ² S, POR, PWM di I
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Numero di ingresso/uscita
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37
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Capacità di memoria di programma
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256KB (256K x 8)
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Tipo di memoria di programma
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FLASH
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Dimensione di EEPROM
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-
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RAM Size
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128K x 8
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Tensione - rifornimento (Vcc/Vdd)
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1.71V ~ 3.63V
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Convertitori di dati
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A/D 20x12b; D/A 2x12b
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Tipo dell'oscillatore
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Interno
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Temperatura di funzionamento
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-40°C ~ 85°C (TUM)
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Montaggio del tipo
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Supporto di superficie
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Pacchetto/caso
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48-VFQFN ha esposto il cuscinetto
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Pacchetto del dispositivo del fornitore
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48-QFN (7x7)
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Numero del prodotto di base
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ATSAMD51
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Caratteristiche:
Condizioni di gestione:
• 1.71V a 3.63V, -40°C a +125°C, CC a 100 megahertz
• 1.71V a 3.63V, -40°C a +105°C, CC a 120 megahertz
• 1.71V a 3.63V, -40°C a +85°C, CC a 120 megahertz
Il centro: Un braccio Cortex-M4 da 120 megahertz
• 403 CoreMark® a 120 megahertz
• Cache di istruzione combinato KB 4 e cache di dati
• unità di protezione della memoria 8-Zone (MPU)
• Insieme delle istruzioni Thumb®-2
• Trace Module incastonato (ETM) con la corrente della traccia di istruzione
• Il centro Trace Buffer incastonato vista (ETB)
• Trace Port Interface Unit (TPIU)
• Unità in virgola mobile (FPU)
Memorie
• 1 istantaneo auto-programmabile del in-sistema di KB di MB/512 KB/256 con:
– Codice correttivo (CEE)
– La banca doppia con Leggere-Mentre-scrive il supporto (RWW)
– Emulazione dell'hardware di EEPROM (SmartEEPROM)
• 128 KB, 192 KB, 256 KB SRAM della memoria principale
– 64 KB, 96 KB, 128 KB di opzione correttiva di RAM di codice (CEE)
• Fino a 4 KB della memoria raccordata strettamente (TCM)
• Fino a 8 KB SRAM supplementare
– Può essere conservato nel modo di sostegno
• Otto registri di sostegno di 32 bit
Sistema
• Rilevazione accesa di risistemazione (POR) e di Brown-fuori (DOMANDA BIOLOGICA DI OSSIGENO)
• Opzioni interne ed esterne dell'orologio
• Regolatore di interruzione esterna (EIC)
• 16 interruzioni esterne
• Un'interruzione non-maskable
• il cavo di serie del Due-perno mette a punto (SWD) la programmazione, la prova ed interfaccia dell'eliminazione degli errori
Alimentazione elettrica
• In ozio, standby, iberni, di sostegno e fuori dagli sleep mode
• Unità periferiche di sonnambulismo
• Supporto di sostegno della batteria
• Regolatore incastonato di Buck/LDO che sostiene selezione al volo
Classificazioni dell'esportazione & ambientali
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
|---|---|
| Stato di RoHS | ROHS3 compiacente |
| Livello di sensibilità di umidità (MSL) | 3 (168 ore) |
| Stato di PORTATA | RAGGIUNGA inalterato |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |