13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET
fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Categoria:
Componenti elettronici
In-azione:
In magazzino
Prezzo:
Negotiated
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union
Metodo di spedizione:
Esprimere
Specifiche
Categoria:
Transistor-Mosfet di componenti elettronici
Famiglia:
Prodotti a semiconduttori discreti
Tipo:
MOSFET N-CH
Numero del pezzo basso:
13n60es
Dettagli:
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Applicazioni:
Cottura induttiva ， applicazioni di commutazione morbida
Descrizione:
IGBT NPT, Field Trench Stop 1600 V 60 a 312 W attraverso il foro PG-a247-3-1
Pacchetto:
TO220
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Introduzione
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 3N60ES
Applicazioni:
• Cucina induttiva
• Applicazioni di commutazione
Specificità:FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
| Numero della parte | 13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET |
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Categoria
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Prodotti di semiconduttori discreti
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Transistori - IGBT - singoli
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Serie
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FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
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Pacco
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Tubo
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Temperatura di funzionamento
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo di montaggio
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Attraverso il buco
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Confezione / Cassa
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TO-220
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Confezione del dispositivo del fornitore
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TO-220 3P
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Classificazioni ambientali ed esportazioni
| Attributo | Descrizione |
|---|---|
| Status RoHS | Compatibilità ROHS3 |
| livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Status REACH | REACH non interessato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
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Di riserva:
In Stock
MOQ:
10pieces