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C2M1000170 Trans MOSFET N-CH SiC 1,7 KV 5 A 3 pin(3+Tab) TO-247

C2M1000170 Trans MOSFET N-CH SiC 1,7 KV 5 A 3 pin(3+Tab) TO-247

C2M1000170 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Stock: In Stock
K50MCH3 IGBT 1200 V 100 A TO247-3-46 IKQ50N120CH3 IKQ50N120CH3XKSA1

K50MCH3 IGBT 1200 V 100 A TO247-3-46 IKQ50N120CH3 IKQ50N120CH3XKSA1

K50MCH3 IGBT 1200V 100A TO247-3-46
Stock: In Stock
GWA80H65DFB STGWA80H65DFBAG ST Serie HB IGBT ad alta velocità

GWA80H65DFB STGWA80H65DFBAG ST Serie HB IGBT ad alta velocità

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650V 80A high speed HB series IGBT GWA80H65DFB
Stock: In Stock
FGA40N120ANTD IGBT 40N120

FGA40N120ANTD IGBT 40N120

40N120 Electromagnetic cooker IGBT power module FGA40N120ANTD
Stock: In Stock
D2SBA60-7000 D2SBA60 Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd

D2SBA60-7000 D2SBA60 Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd

D2SBA60 Shindengen Single 600V 1.5A 4-Pin Diode Rectifier Bridge D2SBA60-7000
Stock: In Stock
MJE182 TRANSISTORE di potenza Bipolare (BJT) Transistor singolo NPN 80V TO-225 MJE182G

MJE182 TRANSISTORE di potenza Bipolare (BJT) Transistor singolo NPN 80V TO-225 MJE182G

Bipolar (BJT) Single Transistor NPN 80V 3A 1.5W TO-225 Through Hole MJE182G
Stock: In Stock
Componenti elettronici a semiconduttore del MOSFET Toshiba di SSM3K36MFV

Componenti elettronici a semiconduttore del MOSFET Toshiba di SSM3K36MFV

Stock: In Stock
Planare epitassiale del silicio dei diodi di commutazione 1SS226 per la commutazione ultra ad alta velocità

Planare epitassiale del silicio dei diodi di commutazione 1SS226 per la commutazione ultra ad alta velocità

Stock: In Stock
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW a semiconduttore di DTC123YUA ROHM

Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW a semiconduttore di DTC123YUA ROHM

Stock: In Stock
Diodo di segnalazione di commutazione di potenza LL34 1N4148 del diodo di raddrizzatore FDLL4148 piccolo

Diodo di segnalazione di commutazione di potenza LL34 1N4148 del diodo di raddrizzatore FDLL4148 piccolo

Stock: In Stock
Immagineparte #DescrizionefabbricanteDi riservaRFQ
DF10S2 DF10S Diodo raddrizzatore a ponte monofase 1KV 1.5A 4 Pin SDIP SMD

DF10S2 DF10S Diodo raddrizzatore a ponte monofase 1KV 1.5A 4 Pin SDIP SMD
In magazzino
1N5822 SS34 Diodo raddrizzatore a barriera Schottky a montaggio superficiale 3.0A 40V

1N5822 SS34 Diodo raddrizzatore a barriera Schottky a montaggio superficiale 3.0A 40V
In magazzino
TDA7297 TDA7294V Amplificatore audio IC AMP AB MONO 100W 15 Multiwatt

TDA7297 TDA7294V Amplificatore audio IC AMP AB MONO 100W 15 Multiwatt
In magazzino
60V 10.8A Diodi Transistori FETS DMT6009LSS-13 MOSFET singolo canale N

60V 10.8A Diodi Transistori FETS DMT6009LSS-13 MOSFET singolo canale N
In magazzino
GP BJT NPN 60V 50mA Diodi Transistori CMPT2484 Semiconduttore centrale

GP BJT NPN 60V 50mA Diodi Transistori CMPT2484 Semiconduttore centrale
In magazzino
SMC B530C Diodi Zener Transistori 30V 5A Diodo Schottky di alimentazione

SMC B530C Diodi Zener Transistori 30V 5A Diodo Schottky di alimentazione
In magazzino
1SMB5918B Diodo Zener da 5,1 V DO-214AA SMB a semiconduttore discreto

1SMB5918B Diodo Zener da 5,1 V DO-214AA SMB a semiconduttore discreto
In magazzino
Raddrizzatore a ponte del MOSFET dei transistor dei diodi di raddrizzatore della barriera di SS36 SMB Schottky IC

Raddrizzatore a ponte del MOSFET dei transistor dei diodi di raddrizzatore della barriera di SS36 SMB Schottky IC
In magazzino
2N7002K 2V7002K Diodi Transistori N Canale Segnale Mosfet 60V 380mA

2N7002K 2V7002K Diodi Transistori N Canale Segnale Mosfet 60V 380mA
In magazzino
IRFB4110PBF IRFB4310ZPBF IRFB4115PBF IRFB4115PBFXKMA1

IRFB4110PBF IRFB4310ZPBF IRFB4115PBF IRFB4115PBFXKMA1
MOSFET IRFB N-CH 1 Mosfet
Texas Instruments
In magazzino
C2M1000170 Trans MOSFET N-CH SiC 1,7 KV 5 A 3 pin(3+Tab) TO-247

C2M1000170 Trans MOSFET N-CH SiC 1,7 KV 5 A 3 pin(3+Tab) TO-247
C2M1000170 Trans MOSFET N-CH SiC 1,7 KV 5 A 3 pin(3+Tab) TO-247
Texas Instruments
In magazzino
K50MCH3 IGBT 1200 V 100 A TO247-3-46 IKQ50N120CH3 IKQ50N120CH3XKSA1

K50MCH3 IGBT 1200 V 100 A TO247-3-46 IKQ50N120CH3 IKQ50N120CH3XKSA1
K50MCH3 IGBT 1200V 100A TO247-3-46
Infineon Technologies
In magazzino
GWA80H65DFB STGWA80H65DFBAG ST Serie HB IGBT ad alta velocità

GWA80H65DFB STGWA80H65DFBAG ST Serie HB IGBT ad alta velocità
IGBT Tipo automobilistico trench gate field-stop 650 V 80 A ad alta velocità serie HB IGBT GWA80H65D
STMicroelettronica
In magazzino
FGA40N120ANTD IGBT 40N120

FGA40N120ANTD IGBT 40N120
40N120 Modulo di potenza IGBT per fornello elettromagnetico FGA40N120ANTD
Infineon Technologies
In magazzino
D2SBA60-7000 D2SBA60 Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd

D2SBA60-7000 D2SBA60 Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
D2SBA60 Shindengen Single 600v 1.5A a 4 pin Raddrizzatore D2SBA60-7000 D2SBA60-7000
Honeywell
in magazzino
MJE182 TRANSISTORE di potenza Bipolare (BJT) Transistor singolo NPN 80V TO-225 MJE182G

MJE182 TRANSISTORE di potenza Bipolare (BJT) Transistor singolo NPN 80V TO-225 MJE182G
Transistor singolo bipolare (BJT) NPN 80V 3A 1.5W TO-225 Through Hole MJE182G
semi
Disponibile
Componenti elettronici a semiconduttore del MOSFET Toshiba di SSM3K36MFV

Componenti elettronici a semiconduttore del MOSFET Toshiba di SSM3K36MFV
In magazzino
Planare epitassiale del silicio dei diodi di commutazione 1SS226 per la commutazione ultra ad alta velocità

Planare epitassiale del silicio dei diodi di commutazione 1SS226 per la commutazione ultra ad alta velocità
In magazzino
Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW a semiconduttore di DTC123YUA ROHM

Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW a semiconduttore di DTC123YUA ROHM
In magazzino
Diodo di segnalazione di commutazione di potenza LL34 1N4148 del diodo di raddrizzatore FDLL4148 piccolo

Diodo di segnalazione di commutazione di potenza LL34 1N4148 del diodo di raddrizzatore FDLL4148 piccolo
In magazzino
Transistor ultraveloci dei diodi di STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT 31A 600V

Transistor ultraveloci dei diodi di STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT 31A 600V
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Indirizzo: FL16 Edificio Costiero Blocco Est Distretto di Nanshan Shenzhen Cina 518000
Email: sales@icschip.com
Telefono: 86-0755-83677737
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