FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
fabbricante:
ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Descrizione:
FM6BD1G1GMB Flash NAND da 1,8 V 1 Gb (128 Mbx8) SDRAM LPDDR2 da 1,8 V 1 Gb (32 Mbx32) 45 ns 400/533
Categoria:
Microcontrollore IC
In-azione:
In magazzino
Prezzo:
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Metodo di spedizione:
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Specifiche
Nome del prodotto:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Descrizione:
FM6BD1G1GMB Flash NAND da 1,8 V 1 Gb (128 Mbx8) SDRAM LPDDR2 da 1,8 V 1 Gb (32 Mbx32) 45 ns 400/533
Categoria:
Circuiti integrati (CI)-FM6BD1G1GMB
Pacchetto/custodia:
10,5x8 (mm) 162BGA
Temperatura operativa:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Mfr:
ESMT
Numero del prodotto base:
FM6BD1G1GMB
Numeri di parte:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCEFM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Introduzione
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Descrizione:FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE
Più MCP IC di memoria Flash Numero di parte:
| 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Numero_parte | Descrizione | Velocità (MHZ) | Pacchetto |
| FM6BD1G1GMB(2M) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| FM62D1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| FM6BD1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| 2G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Numero_parte | Descrizione | Velocità (MHZ) | Pacchetto |
| FM62D2G1GXA (2U) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 30ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Numero_parte | Descrizione | Velocità (MHZ) | Pacchetto |
| FM6BD2G2GXA(2M) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| FM6BD2G2GXA(2L) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| FM62D2G2GXA (2L) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| FM62D2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| FM6BD2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Numero_parte | Descrizione | Velocità (MHZ) | Pacchetto |
| FM6HZ2G2GXA (2A) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (mm), 149 sfere |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Numero_parte | Descrizione | Velocità (MHZ) | Pacchetto |
| FM6BD4G2GXB(2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| FM6BD4G2GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533/400MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| FM62D4G2GXB (2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| FM6BD4G2GKA (2J) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Numero_parte | Descrizione | Velocità (MHZ) | Pacchetto |
| FM6HZ4G2GXB | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (mm), 149 sfere |
| 4G+4G (NAND Flash +LPDDR2) | |||
| Numero_parte | Descrizione | Velocità (MHZ) | Pacchetto |
| FM6BD4G4GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 400/ 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| FM6BD4G4GXMB (2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| FM6BD4G4GKMA (2J) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 sfere |
| 4G+4G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Numero_parte | Descrizione | Velocità (MHZ) | Pacchetto |
| FM6HZ4G4GXB | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/2133MHz | 9.5x8 (mm), 149 sfere |
| 8G+8G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Numero_parte | Descrizione | Velocità (MHZ) | Pacchetto |
| FM6HZ8G8GXDZB(2H) | 1.8V 4Gb x2die NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb x2die LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/ 2133MHz | 9.5x8 (mm), 149 sfere |
| 16G+16G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Numero_parte | Descrizione | Velocità (MHZ) | Pacchetto |
| FM6HZ16G16GXA (2D) | 1.8V 8Gb x2die NAND Flash (1024Mbx8) + 1.8V 16Gb x1die LPDDR4x SDRAM (1Gbx16) | 30ns; 2133MHz | |
Applicazione:
Automotive
Networking
Consumer
Set Top Box
Industrial
Display
IOT
Security Surveillance
Wearable Devices
PC Peripherals
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) è un'azienda di progettazione di circuiti integrati professionale, fondata nel giugno 1998 nel Parco Industriale Scientifico di Hsinchu a Taiwan. L'attività principale dell'azienda comprende la progettazione, la produzione, la vendita e i servizi tecnici di prodotti IC a marchio proprio. ESMT è stata quotata con successo alla Borsa di Taiwan, codice 3006, nel marzo 2002.
Prodotti Flash SPI NAND ESMT più in stock:
| SPI NAND | |||
| 1Gb | |||
| Numero di parte | Descrizione | Velocità (mhz) | Pacchetto |
| F50L1G41LB(2M) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | WSON a 8 contatti |
| F50D1G41LB(2M) | SPI NAND Flash, 1.8V | 50MHz | WSON a 8 contatti |
| F50L1G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | WSON a 8 contatti/ BGA a 24 sfere |
| 2Gb | |||
| Numero di parte | Descrizione | Velocità (mhz) | Pacchetto |
| F50L2G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | WSON a 8 contatti |
| F50L2G41XA (2BE) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | LGA a 8 contatti |
| F50D2G41XA(2BE) | SPI NAND Flash, 1.8V | 83MHz | LGA a 8 contatti |
| F50D2G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 1.8V | 83/ 104 MHz | WSON a 8 contatti |
| 4Gb | |||
| Numero di parte | Descrizione | Velocità (mhz) | Pacchetto |
| F50D4G41XB(2X) | SPI NAND Flash 1.8V | 83MHz | LGA a 8 contatti |
| F50L4G41XB(2X) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | WSON a 8 contatti |
| F50D4G41XB(2XE) | SPI NAND Flash 1.8V | 83MHz | LGA a 8 contatti |
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