ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
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Introduzione
ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) è un'azienda professionale di progettazione di circuiti integrati, fondata nel giugno 1998 nell'Hsinchu Science Industrial Park di Taiwan. L'attività principale dell'azienda comprende la progettazione, la produzione, la vendita e i servizi tecnici di prodotti IC a marchio proprio. ESMT è stata quotata con successo alla Borsa di Taiwan, codice 3006, nel marzo 2002.
Più nuovi prodotti
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Di riserva | RFQ | |
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F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63 |
ESMT DRAM DDR SDRAM CI di memoria M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5V 4K 166/200/250MHz
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In magazzino
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FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA (2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA (2A) FC51J32SJTS2A (2D) FC51E64SBTS2A (2A) |
FC51L04SFSA CI di memoria eMCC 2D MLC eMMC5.1 200 MHz 153 BGA FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
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In magazzino
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FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B (2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP |
FM73E885CQP1B HS400 800/933 MHz 136BGA 8 GB eMMC+8 Gb LPDDR3 o 32 GB eMMC+8 Gb LPDDR3 EPOP FM73E3285
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In magazzino
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FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G) |
FM6BD1G1GMB Flash NAND da 1,8 V 1 Gb (128 Mbx8) SDRAM LPDDR2 da 1,8 V 1 Gb (32 Mbx32) 45 ns 400/533
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In magazzino
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F59L1G81LB SLC NAND o IC di memoria Flash NAND SLC F59L1G81LB-25TG2M |
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3,3 V ECC: 1 bit/528 byte 25 ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
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In magazzino
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EN25QX256A IC Flash NOR SPI EN25QX256A-104HIP2S |
CI di memoria flash SPI NOR da 256 Mb 2,7 V - 3,6 V 104 MHz/133 MHz
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In magazzino
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EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2A) EN29LV320CB-70BIP |
IC settore di avvio memoria flash NOR parallela da 32 Mb EN29LV320CB-70BIP
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In magazzino
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M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4Gb M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2Gb M56Z2G16128A (2R) 4Gb M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8Gb M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H) |
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
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In Stock
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M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) IC SDRAM LPSDR |
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
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In Stock
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M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A |
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
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In Stock
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M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z |
SDRAM DDR4 da 4 Gb 256 Mbx16 1,2 V 1333/1600 MHz M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
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in magazzino
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DRAM da 128 MB DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T |
IC SDRAM DDR M13S128168A (2S) 8Mbx16 2,5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA
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in magazzino
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M13S64164A-5TG M13S64164A-5T IC SDRAM DRAM DDR da 64 MB |
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
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in magazzino
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M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA |
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3,3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
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in magazzino
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M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM Memoria IC |
ESMT DRAM DDR SDRAM CI di memoria M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5V 4K 166/200/250MHz
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in magazzino
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M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3,3 V CI di memoria |
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
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in magazzino
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