BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G Chip IC EPOP LPDDR4X Per Smart Wear AR/VR
BWCD24L-04G BWCD24M-08 EPOP Chip IC LPDDR4X per Smart Wear AR/VR
BWCD24L-04G
BWCD24M-08G
BWCK1EZH-32G-X
BWCL1EZC-32G-X
BWCK1EZC05-64G
BWCK1KZC02-64G
ePOP combina MMC e Mobile LPDDR in un unico pacchetto, con diverse capacità. Questi prodotti sono ampiamente utilizzati in applicazioni mobili e indossabili. Con tecnologie di confezionamento all'avanguardia, tra cui avanzate tecniche di rettifica, laminazione e wirebonding, BIWIN integra RAM e ROM in un unico dispositivo, che non solo migliora le prestazioni e l'efficienza energetica, ma consente anche di risparmiare spazio sui circuiti stampati (PCB), riducendo così i tempi di sviluppo per i clienti.
ePOP è una soluzione ideale per dispositivi portatili e indossabili, come smartphone, tablet, PMP, PDA e altri dispositivi multimediali.
Applicazione:
Smart Wear
AR/VR
Descrizione:
ePoP LPDDR4X integra la memoria DRAM LPDDR4X e l'archiviazione eMMC 5.1 in una soluzione Package-on-Package (PoP) con un package FBGA a 144 sfere. Con dimensioni compatte di soli 8,00 x 9,50 mm, raggiunge velocità di lettura e scrittura sequenziali fino a 290 MB/s e 140 MB/s, con una frequenza fino a 4266 Mbps. BIWIN ePoP LPDDR4X offre una capacità fino a 64 GB+32 Gb. È una soluzione di archiviazione di nuova generazione progettata per smartwatch di fascia alta. Rispetto alle generazioni precedenti, questa soluzione presenta un aumento del 128,6% della frequenza, una riduzione del 32% delle dimensioni ed è certificata dalla piattaforma Qualcomm 5100.
Specifiche:
| Interfaccia | eMMC: eMMC 5.0 / eMMC 5.1 |
| LPDDR 2 / LPDDR 3: 32bit | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 16bit | |
| Dimensioni | 10.0 × 10.00 mm (136b) |
| 8.00 × 9.50 mm (144b) | |
| 8.60 × 10.40 mm (144b) | |
| 12.00 × 13.00 mm (320b) | |
| Lettura Sequenziale Max. | eMMC: 320 MB/s |
| Scrittura Sequenziale Max. | eMMC: 260 MB/s |
| Frequenza | LPDDR 2 / LPDDR 3: 1200 MHz |
| LPDDR 4x: 1200 MHz - 1866 MHz | |
| Capacità | 4 GB + 4 Gb |
| 8 GB + 4 Gb / 8 GB + 8 Gb | |
| 16 GB + 8 Gb | |
| 32 GB + 16 Gb | |
| 64 GB + 16 Gb | |
| Tensione di Esercizio | eMMC: VCC=3.3 V, VCCQ=1.8 V |
| LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1=1.8 V, VDD2=VDDCA=VDDQ=1.2 V | |
| LPDDR 4: VDD1=1.8 V, VDD2=VDDQ=1.1 V | |
| LPDDR 4x: VDD1=1.8 V, VDD2=1.1 V, VDDQ=0.6 V | |
| Temperatura di Esercizio | -20℃ - 85℃ |
| Piattaforme di Verifica Approvate | SnapDragon Wear 3100 / 5100 |
| MSM8909W... | |
| Confezione | FBGA136 / FBGA144 / FBGA320 |
| Applicazione | Smart Wear AR/VR |
Memorie Flash IC Più Correlate:
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BWET08U -XXG SPI (interfaccia periferica seriale) NAND Flash IC per reti smart wear
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G IC LPDDR per smartphone
DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC Per veicoli / smartphone / giochi
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC Per Veicoli / Notebook
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC IC EMCP
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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BWET08U -XXG SPI (interfaccia periferica seriale) NAND Flash IC per reti smart wear |
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
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BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G IC LPDDR per smartphone |
LPDDR (stands for Low Power Double Data Rate) SDRAM is a kind of DDR, being mainly characterized by its Low Power consum
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DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC Per veicoli / smartphone / giochi |
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
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BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC Per Veicoli / Notebook |
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
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UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G |
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
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BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC IC EMCP |
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
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