BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G IC LPDDR per smartphone
fabbricante:
BIWIN
Descrizione:
La SDRAM LPDDR (acronimo di Low Power Double Data Rate) è un tipo di DDR, caratterizzata principalme
Categoria:
Sensore di posizione rotante IC
In-azione:
in magazzino
Prezzo:
Negotiated
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union
Metodo di spedizione:
Esprimere
Specifiche
Categoria:
Componenti elettronici-Memoria
Famiglia:
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G CI LPDDR
Applicazione:
A bordo di veicoli/smartphone/giochi
Temperatura operativa:
-20℃-85℃
Selezione Numeri di parte:
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G CI LPDDR
Specifiche del prodotto Interfaccia:
La SDRAM LPDDR (acronimo di Low Power Double Data Rate) è un tipo di DDR, caratterizzata principalme
Dimensioni:
PDDR 2: 12,00 × 12,00 mm LPDDR 3: 11,50 × 11,00 mm LPDDR 4: 11,00 × 14,50 mm LPDDR 4x: 11,50 × 13,00
Tensione di lavoro:
LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1=1,8 V, VDD2=1,2 V, VDDCA=1,2 V, VDDQ=1,2 V LPDDR 4: VDD1=1,8 V, VDD2=1,1 V,
Capacità:
LPDDR 2: 2 Gb - 8 Gb LPDDR 3: 4 Gb - 16 Gb LPDDR 4 / LPDDR 4x: 4 Gb - 48 Gb LPDDR 5 / LPDDR 5x: 16 G
Introduzione
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC per smartphone
LPDDR (abbreviazione di Low Power Double Data Rate) La SDRAM è un tipo di DDR, caratterizzata principalmente dal suo basso consumo di energia.
BIWIN Low Power DDR offre una soluzione RAM ad alte prestazioni e ad alto costo.Il consumo energetico efficiente e la frequenza più elevata di LPDDR4 lo rendono una scelta preferita per i dispositivi elettronici contemporanei.
Specificità:
| Interfaccia | LPDDR 2 |
| LPDDR 3 | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x | |
| Capacità | LPDDR 2: 2 Gb - 8 Gb |
| LPDDR 3: 4 Gb - 16 Gb | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 4 Gb - 48 Gb | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 16 Gb - 64 Gb | |
| Frequenza | LPDDR 2: 533 MHz |
| LPDDR 3: 933 MHz | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 1866 MHz | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 3200 MHz | |
| Voltaggio di funzionamento | LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1=1,8 V, VDD2=1,2 V, VDDCA=1,2 V, VDDQ=1,2 V |
| LPDDR 4: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = 1,1 V, VDDQ = 1,1 V, LPDDR 4x: VDDQ = 0,6 V | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: VDD1=1.70-1.95 V, 1.8 V NOM, VDD2H=1.01-1.12 V, 1.05 V NOM, VDD2L=VDD2H o 0.87-0.97 V | |
| Piattaforme di verifica approvate | Spreadtrum: 7731E, 9832E, 9820E, SC9850K... |
| Qualcomm: 8909... | |
| MT6580, MT6735, MT6737... | |
| HiSilicon: Hi3798MV310... | |
| B288, A50, B300... | |
| Rockchip: RK3128, RK3228, RK3229... | |
| S905X, S905Y2... | |
| MSO9385... | |
| Temperatura di funzionamento | -20°C - 85°C |
| Dimensioni | LPDDR 2: 12,00 × 12,00 mm |
| LPDDR 3: 11,50 × 11,00 mm | |
| LPDDR 4: 11,00 × 14,50 mm | |
| LPDDR 4x: 11,50 × 13,00 mm | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 12,40 × 15,00 mm | |
| Imballaggio | FBGA168 / FBGA178 / FBGA200 / FBGA315 |
| Applicazione | Telefono intelligente |
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